皓申科技:面向量产的 Turn-Key 解决方案
铜互连主要工艺步骤:
◆ 铜互连具体工艺步骤包括种子层制备、图形化、金属化、后处理四大环节,其中图形化和金属化为核心工序; ◆ 铜互连可以应用于泛半导体行业,如PV、AP、IC等; ◆ 皓申以行业迫切需求的HJT电池铜互连为切入点,依托全球首创HJT铜互连量产技术多年沉淀、跨领域产业方的技术创新融合,致力于研发、生产铜互联工艺全套装备,为客户提供全新低成本可量产的铜制程Turn-Key方案。
行业背景
创新、效率与成本的革命
N 型电池转换效率卓越,HJT 电池市场潜力巨大
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目前 PERC 电池转换效率已接近极限,难以继续提升。HJT 电池转换效率远高于 PERC,无 PID 和 LID 效应,衰减率较 TOPCon 更低,结合 HJT 本身具有的更高双面率、更低温度系数等特点,能够使电池提供更多发电量。除此之外,HJT更适合钙钛矿叠层和薄片化技术,在增效降本领域大有空间。
银浆成本高昂,去银降本是 HJT 必经之路
银浆以价格昂贵的银粉为主要基材,目前银粉供给主要依赖国外进口,银浆成本会受银价及汇率波动扰动。银浆耗量大、成本高企是制约 HJT 等 N 型电池产业化提速的痛点之一,行业迫切需要创新金属化工艺实现降本增效。
铜电镀助力光伏电池降本增效,发展优势显著
铜电镀是一种非接触式的铜电极制备工艺,在PCB 行业应用成熟, 亦可用于晶硅电池金属化环节,其原理是在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线,进而作为电极收集光伏效应产生的载流子。铜电镀工艺发展优势显著,较银浆丝网印刷具备更低的银浆成本、更优的导电性能、更好的塑性和高宽比,有望替代高银耗的丝网印刷技术,进一步提高电池效率和降低银浆成本,助力 HJT 和 XBC 电池降本增效和规模化发展。
铜互连替代铝互连,成为半导体主流技术
铜互连的引入解决了传统铝互连在面对高密度、高速度的半导体制造需求时所遇到的限制。铜的电阻率低于铝,这意味着在相同的电流承载能力下,铜导线可以占用更小的面积,从而允许更密集的电路布局。此外,铜的抗电子迁移能力也比铝好,这有助于提高芯片的可靠性和耐用性。
技术优势
自主开发
高解析度高性价比掩膜材料
◆ 掩膜材料是铜替代银新增的核心成本项,寻找高性价比可匹配量产工艺的掩膜材料一直是铜互连工艺的关键。行业在探索油墨、不含光敏成份的树脂,但均存在产业化瓶颈; ◆ 皓申已开发出高性价比高解析度掩膜材料,化学耐受性良好、易清洗且具有宽工艺窗口。
智能集成
高性能图形化成套装备
◆ 图形化的主要作用是在掩膜上形成栅线图案,从而在后道电镀工序中能够实现选择性沉积,其质量直接影响电镀电池的转换效率以及良品率; ◆ 皓申依托自研掩膜材料体系的灵活度,整合涂覆、曝光、显影技术模块,重新定义图形化装备,研发出集成式装备,以满足光伏制造的大节拍、低成本、高良率需要。
创新设计
高精密大通量金属互连装备
◆ 金属化是在电镀机的帮助下,利用电解原理,在电镀液中电解出铜离子,并在图形化后裸露出的种子层上还原铜离子,生长出铜镀层的过程; ◆ 皓申已自主开发适配HJT电池制造的高精密大通量金属互连装备,具有柔性强、产能大、良率高、电镀均匀等特征,同时大幅降低占地面积和漂洗水用量。